4351B 制造硅压力传感器以及体微机械加速度计

Description

4351B

4351B在各向异性湿法化学蚀刻中描绘硅晶格的不同晶面的能力提供了具有相当严格的尺寸控制的高分辨率蚀刻能力。它还提供了双面处理的能力，以体现自隔离结构，其中只有一侧暴露于环境。这有助于器件的封装，对于暴露在恶劣环境中的 MEMS 器件（例如压力传感器）非常有用。各向异性蚀刻技术已经存在超过 25 年，通常用于制造硅压力传感器以及体微机械加速度计。

4351B说明了使用各向异性湿法蚀刻 <100> 取向硅基板可能产生的一些形状，包括倒金字塔形和平底梯形蚀刻坑。请注意，蚀刻图案的形状主要由蚀刻速度较慢的<111>面决定。图3a和3b是各向异性湿法蚀刻后硅衬底的SEM照片。图 3a 显示了一个梯形蚀刻坑，随后在整个蚀刻坑上进行了切割，图 3b 显示了可用于制造压力传感器的薄膜的背面。值得注意的是，图中所示的蚀刻轮廓仅适用于<100>取向的硅晶圆；具有其他晶体取向的基底将表现出不同的形状。