AEG AS-J890-102 使用 DRIE 和晶圆键合制造的 MEMS 组件的 SEM

Description

AS-J890-102

AS-J890-102的蚀刻使用SF6化学物质进行，而侧壁上的抗蚀刻聚合物层的沉积使用C4F8化学物质。在蚀刻过程中，质量流量控制器在这两种化学物质之间来回交替。保护性聚合物层沉积在侧壁上以及蚀刻坑的底部上，但是蚀刻的各向异性去除蚀刻坑底部的聚合物的速度比去除侧壁上的聚合物的速度快。侧壁并不完美或光学上不光滑，如果在 SEM 检查下放大侧壁，会在侧壁中看到特有的洗衣板或扇形图案。大多数商用 DRIE 系统的蚀刻速率从每分钟 1 微米到 4 微米不等。DRIE 系统是单晶圆工具。

AS-J890-102可用作 DRIE 蚀刻的掩模层。光致抗蚀剂和氧化物的选择性分别约为75比1和150比1。对于穿透晶片蚀刻，将需要相对厚的光致抗蚀剂掩模层。蚀刻的纵横比可以高达 30:1，但实际上往往是 15:1。工艺配方取决于由于系统中的负载效应而暴露的硅量，与较小的暴露区域相比，较大的暴露区域蚀刻速度要快得多。因此，必须经常表征蚀刻的精确掩模特征和深度以获得期望的结果。模块是使用 DRIE 和晶圆键合制造的 MEMS 组件的 SEM。该器件使用 SOI 晶圆制成，其中通过处理晶圆执行背面蚀刻，停止在掩埋氧化物层上，并在 SOI 器件层上执行正面 DRIE。然后去除掩埋的氧化物以释放微观结构，使其能够自由移动。