EMERSON A6210 采用氮化铝陶瓷进行热隔离

Description

EMERSON A6210 提供导通电阻(RDS在)小于3mω，与现有X4级MOSFETs相比，降低高达63%。与此同时，这些设备在25°C时提供高达500 A的额定电流，Littelfuse声称这是可比解决方案的近两倍。它们采用SOT-227B封装，采用氮化铝陶瓷进行热隔离，热阻低至0.13 K/W。

EMERSON A6210 的栅极电荷(Qg)显著影响其开关损耗，因为在每个开关周期期间必须补充电荷。因此，RDS的产品(上)还有Qg被称为品质因数(FoM)，是评估MOSFET性能的最重要指标之一。作为较低的RDS(上)降低传导损耗和Q值g使…减少(或缩小)到最小量开关损耗较低的FoM表示总损失减少。

EMERSON A6210 推出了SiRS5700DP，150 V TrenchFET Gen Vn沟道功率MOSFET设计用于电信和计算系统等高效率、高密度应用。它采用PowerPAK SO-8S封装，10 V时的导通电阻为5.6mω，RDS为(上)336mωNC的⋅Qg FoM。带着热阻0.45°C/W，支持最高144 A的连续漏电流，Vishay表示，该器件最适合同步整流等应用。DC-DC转换和电机驱动控制。