EMERSON A6410 增强型沟槽栅技术

Description

EMERSON A6410 采用ST的条形场效应晶体管F8技术制造，结合了增强型沟槽栅技术具有出色的抗噪性，可在电源应用中提供出色的性能，同时保持稳定的SOA。

EMERSON A6410 支持40 V漏极-源极电压，电流约为300 A，具有低RDS(上)1.1mω，具有高耐热性，最大结温为175°c，支持167 W的总功耗和60 A的单脉冲雪崩电流，两款器件的SOA分析表明，在1微秒的脉冲宽度下，它们可以处理0.1 V时约1，000 A的电流和100 V时约10 A的电流。

在热插拔等线性模式应用中，EMERSON A6410 连接到带电系统而不中断其运行MOSFET的开关被有意减慢以限制涌入电流。在开关阶段，高漏极电流和相当大的漏极-源极电压的同时存在会导致MOSFET内相当大的功耗，从而需要更宽的SOA和完美的线性模式工作。一旦开关阶段完成，MOSFET就转换到导通状态下的连续工作状态。