EMERSON A6740 稳定的线性模式性能

Description

为确保整体效率(开关状态和导通状态)，EMERSON A6740应用中使用的MOSFETs必须兼具稳定的线性模式性能和极低的RDS(上)以最小化稳态运行期间的功率损耗。然而，现代沟槽MOSFETs具有低RDS(上)通常具有较窄的SOA。另一方面，平面MOSFET技术具有更宽的SOA和更低的RDS值(上).

EMERSON A6740通过平衡沟槽MOSFETs的低RDS，专为热插拔和电池保护应用而设计(上)具有平面MOSFETs的宽SOA。

EMERSON A6740的设备有TO无引脚封装与类似的RDS相比，在54 V (10 ms)时提供12倍的SOA，在100 s时提供3.5倍的性能提升(上)设备。此外，更宽的SOA和增强的均流能力有助于设计人员减少多达60%的并行组件需求。该设计具有更低的栅极泄漏、更高的功率密度、更好的热性能和设计灵活性，最适合电动自行车、叉车和电池驱动汽车等应用。

EMERSON A6740是功率MOSFETs的一个工具性指标，英飞凌和ST正在用他们的新产品拓展他们的边界。通过在不牺牲性能的情况下提供更安全的操作，这些公司的MOSFETs可能是电力电子工程师的选择。