Description
4211
4211需要使用掩模材料，优选相对于基板材料具有高选择性。用于各向同性湿法硅蚀刻的常见掩模材料包括二氧化硅和氮化硅。与二氧化硅相比，氮化硅的蚀刻速率要低得多，因此更常用。一些各向同性湿法蚀刻剂溶液混合物的蚀刻速率取决于衬底材料的掺杂剂浓度。例如：常用的 HC2H3O2:HNO3:HF 比例为 8:3:1 的混合物将以 50 至 200 微米/小时的速率蚀刻高掺杂硅（> 5 x 1018 原子/cm3），但会蚀刻轻掺杂硅材料，掺杂率低 150 倍。然而，相对于掺杂剂浓度的蚀刻速率选择性高度依赖于溶液混合物。
4211用于硅微机械加工的更广泛使用的湿法蚀刻剂是各向异性湿法蚀刻剂。各向异性湿法蚀刻涉及将基材浸入化学溶液中，其中蚀刻速率取决于基材的晶体取向。蚀刻根据硅晶面而变化的机制归因于不同晶面暴露于蚀刻剂溶液的不同键构型和原子密度。湿法各向异性化学蚀刻通常根据不同的正常晶体学位置以蚀刻速率来描述，通常是<100>、<110>和<111>。一般来说，硅各向异性蚀刻沿<111>蚀刻得更慢
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