AEG AS-BADU-204 能够在硅基板上进行非常高的深宽比蚀刻

Description

AS-BADU-204

AS-BADU-204直接键合和阳极键合之外，MEMS 制造中还使用其他晶圆键合技术。一种方法是共晶键合，涉及使用其中一个晶片表面上的金中间层在高温下将硅基板与另一个硅基板键合。共晶键合之所以有效，是因为金在高温下扩散到硅中的速度非常快。事实上，这是在相对较低的温度下进行晶圆键合的优选方法。MEMS 中使用的另一种晶圆键合技术是玻璃熔块键合。在此过程中，玻璃被旋转或丝网印刷到基材表面上。随后，该晶片与另一晶片物理接触，并对复合材料进行退火，以使玻璃中间层流动并粘合两个晶片。

AS-BADU-204各种聚合物可用作中间层来粘合晶圆，包括环氧树脂、光致抗蚀剂、聚酰亚胺、硅酮等。这种技术通常在 MEMS 的各种制造步骤中使用，例如当器件晶圆变得太脆弱而无法在没有机械支撑的情况下处理时。深反应离子蚀刻（DRIE）是一种相对较新的制造技术，已被 MEMS 界广泛采用。该技术能够在硅基板上进行非常高的深宽比蚀刻。蚀刻孔的侧壁几乎是垂直的，蚀刻深度可以深入硅衬底数百甚至数千微米。