DS200DCFBG1BLC 基材和聚合物加热至聚合物材料的玻璃化

描述

DS200DCFBG1BLC

DS200DCFBG1BLC在聚合物材料中复制深层高纵横比结构的工艺是使用 LIGA 或类似技术制造金属刀具刀片，然后将刀具刀片图案压印到聚合物基材中，然后将其用作零件。图13是说明热压花工艺的图。模具嵌件是使用适当的制造方法（以黑色交叉阴影线图案显示）制成的，其中具有相反的图案。将模具嵌件放入热压花系统中（参见图 14 的热压花机照片），该系统包括一个可以抽真空的腔室。将基材和聚合物加热至聚合物材料的玻璃化转变温度Tg以上，并将模具嵌件压入聚合物基材中。真空对于聚合物忠实地复制模具嵌件中的特征至关重要，否则空气会被困在两个表面之间，导致特征变形。随后，将基底冷却至聚合物材料的玻璃化转变温度以下，并施加力以对基底进行去压纹。如图 15 所示，热压花可以成功复制复杂、深且高深宽比的特征。该工艺可以在聚合物上留下数百微米深的印记，并且尺寸控制非常好。

DS200DCFBG1BLC气态二氟化氙 (XeF2) 是硅的各向同性蚀刻剂。该蚀刻剂相对于微电子制造中常用的其他材料具有高度选择性，包​​括：LPCVD 氮化硅、热二氧化硅、铝、钛等。由于该蚀刻剂是完全干式脱模工艺，因此不会遇到湿式脱模工艺的粘连问题。这种蚀刻剂在预处理 CMOS 晶圆中微结构的微加工中很受欢迎，其中在基板表面的钝化层中制作开口以暴露硅以进行蚀刻。