Description
DI810 3BSE008508R1
DI810 3BSE008508R1拥有独特的优势，能够确保其完整标准的快速设计和制造。产品组合，同时仍保持定价和交货时间的高度竞争力。每个产品系列都是根据客户和行业反馈精心开发的，通常也可以按照客户自己的严格标准构建。所有产品制造和测试均在公司自己的 ISO9001:2015 认证全球公司总部和研发中心进行，该中心位于华盛顿州西雅图郊外。除了直接供应 MEMS 电容式加速度计芯片以满足零频到中频客户测试和仪器仪表需求外，Silicon Designs 还定期设计和制造芯片，作为其他传感器行业制造商的成品设计的关键性能元件，从而也帮助缓解近期持续的全球零部件短缺带来的行业挑战。
DI810 3BSE008508R1的低成本、工业级、高稳定性 OEM 表面贴装加速度计芯片，提供从 ±2 g 到 ±400 g 的八个独特的标准范围。每个器件均具有 ±4V 差分输出，并可选择 20 引脚 LCC 或 J 引线表面贴装封装，这两种封装均采用氮气阻尼、气密密封且符合 RoHS 标准。1521 型系列的显着特点是集成了高质量 MEMS 电容传感元件以及放大器和内部温度传感器。1521 系列业界一流的 MEMS 电容式传感元件可提供长期测量稳定性（+5 VDC、5 mA 典型功率）、可靠运行、耐用性、5,000 g 冲击耐受性和零信号衰减。该系列专为需要极低噪声（2 g 满量程版本典型值为 7 μg/√Hz）和长期稳定性的零到中频测试和仪器仪表应用而设计。因此，它们可以响应从零 (DC) 到 2000+ Hz 的频率，并且可以在 -55°C 至 +125°C 的标准工作温度范围内可靠地运行。
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