GE 0880001-01 底层硅衬底中的任何微电子器件性能

Description

0880001-01

0880001-01最常用的表面微加工工艺和材料组合是PSG牺牲层、掺杂多晶硅结构层，以及使用氢氟酸作为蚀刻剂去除PSG牺牲层并释放器件。这种类型的表面微加工工艺用于制造用于碰撞安全气囊部署的 Analog Devices 集成 MEMS 加速度计器件。图 5 和图 6 是两个表面微加工多晶硅 MEMS 器件的 SEM。表面微加工工艺的另一种变化是使用金属结构层、聚合物层作为牺牲层以及O2等离子体作为蚀刻剂。该工艺的优点是牺牲层和结构层沉积的温度足够低，不会降低底层硅衬底中的任何微电子器件性能，从而将 MEMS 与电子器件集成。此外，由于无需浸没在液体中即可去除牺牲层，因此避免了释放过程中与静摩擦相关的问题。与此类似的工艺用于生产投影系统中使用的德州仪器 (TI) 数字光处理器 (DLP) 设备。

0880001-01是一种微加工方法，类似于宏观世界中的焊接，涉及将两个（或更多）晶圆连接在一起以创建多晶圆堆叠。晶圆键合有三种基本类型，包括： 直接键合或熔合键合；现场辅助或阳极键合；并使用中间层进行粘合。一般来说，所有键合方法都需要非常平坦、光滑和清洁的基板，以便晶圆键合成功且无空隙。直接或熔合通常用于将两个硅晶片接合在一起，或者将一个硅晶片与另一已氧化的硅晶片接合。直接晶圆键合可以在其他组合上进行，例如裸硅与表面上也有氮化硅薄膜的硅晶圆。